前言

        2023年，中國半導體配件技術應用技術應用設備領域贏得連續性高的成長，邁向調準周期時間。與此建立對照，在新再生能源車輛、光伏發電、存儲等供需助推下，三個代半導體配件技術應用技術應用設備領域控制迅速趨勢，中國化批售鏈體系中施工已經在建立，的競爭力眼界逐層制訂，領域邁向更快的的成長期。而國外三個代半導體配件技術應用技術應用設備領域經品牌的校園營銷推廣活動在初期產銷量謀劃和產線施工，國內生產的三個代半導體配件技術應用技術應用設備企業產品會相繼發掘成功創業并根據核驗，技術應用奮力成熟，產銷量一個勁產生，國內生產的氫氟酸處理硅(SiC）配件及包塊開啟“上機”，風景林體系中施工漸漸的成熟，專業化穩定效率一個勁減弱，綜合的競爭力競爭力必將成熟。

1、產能釋放，第三代半導體產業即將進入”戰國時代”

       《2022三四代半導行業設備產業的壯大壯大行業報告》展現，2023年我過三四代半導行業設備工作電工作效率網絡和微波通信通信通信頻射5個鄰域變現總生產量141.75000萬，較202半年上升11.7%，產值不停的保持。之中，SiC產值上升翻倍，GaN產值上升超30%，新增加投入資金擴產方案較202半年相比上升36.7%。也，根據電動式新汽車股票銷售賣場飛速上升，光伏太陽能、儲蓄能量需求分析拉開，2023年我過三四代半導行業設備工作電工作效率網絡和微波通信通信通信頻射股票銷售賣場總的規模達標194.25000萬，較202半年上升34.5%。之中，工作電工作效率半導行業設備股票銷售賣場以上105.55000萬，微波通信通信通信頻射股票銷售賣場約88.65000萬。

        不斷，202四年將是第三方代半導體器件獨樹一幟的整年，市揚將記錄一“枝術高效進展、產業鏈高效倍增、戶型大轉變”的“西漢劃時代”。

2、SiC、GaN功率器件成為支撐電子信息技術發展的生力軍

        作為新一代半導體材料，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有傳統Si材料無可比擬的優勢，其禁帶寬度是Si的3倍左右，擊穿場強約為Si的10倍，功率高、載流子遷移率高、飽和電子速度快、耐高溫高壓、高能效、低損耗等優異特性，滿足高電壓、高頻率場景。

        從新能源汽車到光伏儲能，從軌道交通到移動電源，從數據中心到通訊基站，基于第三代寬禁帶半導體材料的功率器件發揮著關鍵作用。功率半導體器件是電力電子技術發展的重要組成部分，是電力電子裝置實現電能轉換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節能功效。尤其是在目前技術競爭和節能環保的大環境下，第三代半導體已經成為全球大國博弈的焦點。

        再者，第三個代寬禁帶光電器件產品的分析也推行著LED戶外照明燈具品牌群的不間斷快速發展，從Mini-LED到Micro-LED，繼續干擾光電器件戶外照明燈具品牌群，特別在大電機功率激光機器器、太陽光的紫外線除菌/偵測行業領域切實發揮關鍵要的用。

3、SiC、GaN布局提速，功率器件靜態參數測試如何破局？

        現下，最大工作效率半導電子配件市面 呈出集成型化和引擎化、高耐磨性和高穩定性、多電平方法、新技術電子配件節構和施工工藝、自動化化和可規則化等轉型態勢和轉型趨勢。最大工作效率半導電子配件當作選擇于苛求氛圍下的高最大工作效率強度電子配件，對電子配件穩定性特殊請求處在很多半導電子配件的排頭兵。如此，對電子配件有目的的耐磨性自測特殊請求、合適選擇場境的穩定性自測條件以其最準確的喪失定量分析方案將有郊的上升最大工作效率半導電子配件成品的耐磨性及穩定性情況。

        不同材料、不同技術的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。

4、基于國產化數字源表的SiC/GaN功率半導體器件靜態參數測試解決方案

        靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容)，以及以上參數的相關特性曲線的測試。

        圍繞第三代寬禁帶半導體靜態參數測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產化高精度數字源表(SMU)的測試方案，具備更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

①P300高精度脈沖源表

- 脈沖直流，簡單易用

- 規模廣，高至300V低至1pA- 最窄脈沖信號長度200μs- 準確無誤度為0.1%

②E系列高電壓源測單元

- ms級上升沿和下降沿

- 單臺最高3500V電阻值傳輸(可存儲10kV)- 檢測的瞬時電流低至1nA- 較準度為0.1%

③HCPL 100高電流脈沖電源

- 輸出的電流大小達1000A- 另一臺串聯能夠達到6000A- 50μs-500μs的脈沖激光高寬比隨意調節- 電脈沖邊沿陡(類型時間段15us)- 四公里同樣校正電流電壓(0.3mV-18V)

        而GaN HEMT器件主要工作于大功率、高效率的微波毫米電路中，其機理相對更為復雜，主要體現在器件陷阱效應和自熱效應中。GaN HEMT器件的陷阱效應會引起柵和漏滯后效應，不利于建模工作和器件射頻應用；而自熱效應主要體現在脈寬對GaN HEMT器件測試的影響。因此，針對氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構成的高速器件的I-V測試，普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測試難題。

①CP系列脈沖恒壓源

         

- 直流變壓器/輸入脈沖兩大類電流值輸出精度傳統模式- 大輸入脈沖電流值，極限可至10A- 超窄脈寬，低至100ns- 插卡式構思，1CH/插卡，比較高蘋果支持10過道

        普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。

*有些全部圖片源：公開透明素材收拾

*部位文件源于：當今世界的經濟實惠時報《當今世界其次代半導高新產業總的開啟成長作文期》郭錦輝

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