盛夏已過，初秋開場

二月的持續高溫依舊會一拖再拖不散生話也免滿足被繁瑣的運轉詛咒

進行高壓大效率(6500V/3000A)IGBT軟件測試難？伴現在新項目消費需求急、的任務重、請求高建筑項目師們的壓力山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

致使SiC與Si優點的區別，SiC MOSFET的域值交流工作電流具有著不不穩定義，在元器測試軟件的過程 中域值交流工作電流也有比較明顯漂移，影響其電耐腐蝕性測試軟件以其高溫環境柵偏試驗報告后的電測試軟件后果較為嚴重依賴癥于測試軟件前提條件。以至于域值交流工作電流的精確性測試軟件，現行制度安全性測試軟件策略有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通熱敏電阻 RDSon為后果功率器件工作上時導通消耗的資金的一核心優點參數指標，其量值會隨 VGS 或是T的發生變化而發生變化。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流愛護可以將工作電壓或是電壓受限在SOA區域環境，避免出現電子元器件順壞或炸管。

測評必要條件：800V 恒壓 10μA 限流

測試儀情況：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）工作電流論文檢測電路系統將增加導通電阻值測定精確度；? SOCKET與PIN接受熱敏電阻器、軟件測試引線導通熱敏電阻器。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，直流電壓正弦波形自由振蕩；? 方式等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 各種類型同軸電覽的等效電阻與DUT并接，SMU測試圖片時持續增長、相對穩定精力長；? 三同軸電纜線等效濾波電容基本上為0。

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