一、設計背靜

       試驗光電器件器件芯片相關原物料的霍爾反應是定性闡述和闡述光電器件器件芯片相關原物料的至關重要方法。自己也就能夠會結合霍爾公式的數字符號來判定光電器件器件芯片相關原物料的導電的類型，是N型更是P型；霍爾反應從存在論上講是健身的導電激光束在磁感線中受洛侖茲佳作用而引發的偏轉。當導電激光束（網上或空穴）被幫助在液體相關原物料中，種偏轉就確立在橫縱于交流電和磁感線的方向前確立 -電荷量的聚積，最后確立扣減的上下磁場。會結合霍爾公式或與溫的相關也就能夠核算載流子的質量密度，或載流子質量密度同溫的相關，據此也就能夠明確相關原物料的禁速率度和其它雜物電離能；經過霍爾公式和功率電阻率的連合精確測量能夠明確載流子的知識率，用微分霍爾反應法可測橫縱載流子質量密度分散；精確測量恒溫霍爾反應也就能夠明確其它雜物來補償度。

       與其他測式區別的是霍爾指標測式中測式點多、無線連接繁重，測算量大，需自加的氣溫和電磁波生活環境等共同點，在這樣的目的下，自動測式是不能就可以完畢的。霍爾負反應測式設計就可以完成一萬多到至幾萬塊點的多指標自動調成在線測量，設計由Precise S系列產品源表，2700 向量電源開關和霍爾負反應測式應用 Cyclestar 等構成的。可在區別的電磁波、的氣溫和電流量下利用測式報告測算出電阻器率、霍爾公式、載流子質量濃度和霍爾轉入率，并繪出線性圖。

二、策劃方案顯著特點

       1、標體系可來進行在多種交變電場和多種功率能力下的霍爾調節作用和功率電阻的估測；

       2、測試儀和運算的過程由軟文自動化施行，可呈現動態數據和申請這類卡種曲線提額；

       3、選澤變溫選件，會采取各個工作溫度狀況下的霍爾負效應和阻值的自動測量；

       4、電容測試空間：0.1mW—50MW。

三、公測村料

       1、半導體用料用料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe和鐵氧體用料等；

       2、高特性阻抗原料：半絕緣層的 GaAs, GaN, CdTe 等；

       3、低特性阻抗食材：彩石、合理鈍化物、弱吸引力半導體器件食材、TMR 食材等。

四、程序方法

       霍爾調節作用測試測試設備首要是對霍爾元件的 I-V 測量，再會按照其他關于因素來測算出相應的的值。

       熱敏阻值器器率：范德堡法自動測量熱敏阻值器器率還要緊扣圖紙參與 8 次自動測量。 金屬金屬金屬電極片材料片材料材料 1、2 加功率金屬金屬金屬電極片材料片材料材料 4、3 測工作交流電瞬時電流值，和金屬金屬金屬電極片材料片材料材料 2、3 加功率金屬金屬金屬電極片材料片材料材料 1、4 測工作交流電瞬時電流值，取得的熱敏阻值器器率稱它作 ρA；收起來金屬金屬金屬電極片材料片材料材料 3、4 加功率金屬金屬金屬電極片材料片材料材料 2、1 測工作交流電瞬時電流值，和金屬金屬金屬電極片材料片材料材料 4、1 加功率金屬金屬金屬電極片材料片材料材料 3、2 測工作交流電瞬時電流值，取得的熱敏阻值器器率稱它作 ρB。假設圖紙人均， ρA 和 ρB 是比較將近，求這些的人對數正態分布 即能取得圖紙的熱敏阻值器器率 ρav =( ρA + ρB ) / 2。

 五、程序格局

六、體統調試

       源表：2臺雙車道SMU；

       連結線：237-ALG-2，Triax轉灣鱷夾連結線。

七、能力講述

       1、可實行霍爾因素、I-V 性能指標、R-T 性能指標和 R-M 性能指標的側量；

       2、都有機會得到出數據： 方塊熱敏內阻、 熱敏內阻率、 霍爾數值、 霍爾搬遷率、 載流子滲透壓和導電內型；

       3、 R-T 功能—規定磁場強度，電阻功率隨高溫而變化無常的功能曲線圖；

       4、R-M 性能特點—固定位置溫濕度，電容隨人體磁場而轉變的性能特點折線；

       5、身材曲線圖編寫能力：I-V 形態—在區別電磁波和區別溫度的條件下的 I-V 形態身材曲線圖；

       6、R-T 性—穩固磁場強度，電阻值隨室內溫度而發生變化的性曲線擬合；

       7、R-M 特質—放置溫度表，電阻值隨交變電場而變換的特質申請這類卡種曲線提額。